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產品參數(shù)
產品詳情
反應離子刻蝕機（又稱干法刻蝕機）是半導體制造中的關鍵設備，其原理是利用等離子體對材料進行選擇性去除，從而將掩膜圖形精確轉移到基材表面。
在真空反應腔內，通入特定的工藝氣體（如CF?、Cl?等），并通過射頻電源激發(fā)產生等離子體。等離子體中包含的活性自由基與材料表面發(fā)生化學反應，同時高能離子在電場引導下對表面進行物理轟擊。這種物理與化學作用的協(xié)同效應，可實現(xiàn)各向異性強、精度高的圖形刻蝕。
通過精確調控射頻功率、氣體組分與流量、腔室壓力、溫度及處理時間等參數(shù)，可實現(xiàn)對不同材料（如介質、硅、金屬等）的刻蝕速率、選擇比與形貌的有效控制，滿足微納加工的多樣化需求。
應用領域：
產品特點
智能控制與操作
u 配備7英寸彩色觸摸屏，支持中英文交互界面，可實時監(jiān)控與自動控制工藝參數(shù)。
u 內置20組工藝配方，支持數(shù)據(jù)存儲與追溯，確保工藝重復性。
u 采用PLC工控系統(tǒng)，支持手動與自動兩種工作模式，流程控制穩(wěn)定可靠。
u 操作面板采用60°傾角人體工學設計，觀看與操作更舒適。
腔體與真空系統(tǒng)
u 真空腔室及全路管路均采用316不銹鋼材質，具備優(yōu)異的耐腐蝕性，確保工藝無污染。
u 采用頂置上開蓋設計，搭配下壓式鉸鏈，開合輕便，密封可靠。
氣體輸送與分布
u 標配雙路高精度防腐數(shù)字質量流量計，支持氧氣、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣等多種工藝氣體，可選配多路氣體系統(tǒng)。
u 采用多孔分散式進氣設計，取代傳統(tǒng)單點進氣，確保腔體內氣體分布均勻，工藝一致性高。
樣品處理與安全
u 采用上置式樣品臺，支持360°水平取放樣品，符合人體工學，操作便捷。
u 有效處理面積大，可兼容至直徑154mm晶圓或硅片。
u 具備HEPA高效過濾與氣體反吹掃功能，防止顆粒物二次污染。
u 配備安全聯(lián)鎖裝置，開艙門即自動切斷電源，并設有運行狀態(tài)指示燈，保障操作安全。
2025-12-26 
2024-07-26 
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